Память SO-DIMM, DDR5, 32Gb, 4800 MHz, Samsung, 1.1V, CL40

Оперативная память Samsung DDR5 – это прорыв в технологии компьютерной памяти, обеспечивающий на 50% большую пропускную способность, чем DDR4 предыдущего поколения. В результате пользователи быстрее загружают файлы, передают данные и скачивают, что значительно улучшает общую скорость реагирования системы. Технология DDR5 характеризуется более высокой эффективностью шины, что не только ускоряет работу, но и делает ее лучше. Эта инновационная память является ключом к более быстрой и эффективной обработке данных в современных компьютерах.

Эффективная многозадачность с Samsung DDR5:

Память Samsung DDR5 обеспечивает на 50% большую скорость, чем память DDR4, что обеспечивает чрезвычайно эффективную производительность с первого использования. Оптимизированная для реальной производительности и многозадачности, вы можете легко открывать несколько вкладок браузера и быстро переключаться между программами. Благодаря этому ваш компьютер реагирует быстрее, чем когда-либо. Samsung DDR5 — идеальное решение для пользователей, которые ожидают исключительной производительности без компромиссов.

Инновации для стабильной работы:

Samsung DDR5 представляет собой качественный скачок в инженерии по сравнению с предыдущими поколениями, предлагая два независимых 32-разрядных канала на каждом модуле для оптимизации производительности. Разработанная со встроенной системой коррекции ошибок на уровне компонентов (ODECC), эта память обеспечивает длительную стабильность даже при высоких требованиях современных вычислительных технологий. Благодаря этим решениям Samsung DDR5 сохраняет надежность предыдущих поколений, решая вызовы будущих вычислений.

Оптимизированная энергоэффективность:

Samsung DDR5 представляет инновации в виде регулировки напряжения непосредственно на модуле с интегрированной схемой управления питанием (PMIC), что является изменением старых технологий, где это управление осуществлялось на материнской плате. Это приводит к лучшему сигналу и более чистому питанию для модулей, что приводит к более высокой стабильности и эффективности. Кроме того, рабочее напряжение модулей DDR5 составляет всего 1,1 В, что ниже, чем 1,2 В у DDR4, что способствует лучшей энергоэффективности.